| 型号：SI8445DB-T2-E1 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：4-XFBGA，CSPBGA | 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9.8A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 84 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 16nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 700pF @ 10V |
| 功率_最大 | 11.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装 | 4-Microfoot |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳德田科技有限公司 | 李小姐86-0755-83254070/18680328178 |
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CAP CER 0.068UF 50V 5% RADIAL
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